长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产。

　　据悉，该平台依托创新的四重曝光技术，将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1，核心功能区高度缩小至6762纳米。此次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24GB，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

　　特别

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